Rebonjour toutes, tous....
Suite du préambule précédent
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Pour la suite je me place dans l'hypothèse de la lecture faite par une cellule à aimant mobile(voir préambule). Dans toute la suite je suppose que vous connaissez les représentations des dispositifs actifs(transistors bijonctions, transistors jfet ou fet, tubes électroniques). Je me place dans les seuls cas tubes, fets, parce que ce sont actuellement ceux qui sont les plus utilisés d'une part, et d'autre part les impédances d'entrées sont en général très élevées devant les sources d'attaque, ce qui permet de simplifier les calculs.
L'étage 1 d'entrée est représenté à gauche dans mon schéma structurel sous la forme de Norton ou transconductance.
* Alor
g1 est la pente au point de polarisation, et le courant de plaque ou drain délivré est alors
id=g1*V(E).
*
Ro1 résistor de valeur
ro1 est la résistance dynamique de sortie;
*
Rp1 est la résistance de plaque ou drain du dispositif actif utilisé.
*
Zcel d'impédance
zcel(r+jx), très rarement représentée car pas toujours donnée par le fournisseur!!!.(on peut y revenir si besoin est).
*
Re1 de
résistance re1 qui est en principe connue car dépendante de la cellule utilisée (de l'ordre de 50Kohm).
L'étage 1 modifié, à droite, est celui qui attaque le filtre de correction constitué par (Rf,Z, entre les points B et C). Il est obtenu en tirant le générateur de thévenin équivalent du premier étage vue au point B par le filtre correcteur, lui même chargé par Re2(en principe à l'intérieur l'étage 2) au point C.
L'étage 2 est obtenu de la même manière que celle utilisée pour obtenir l'étage 1 modifié, donc sous forme d'un générateur de thévenin, les éléments correspondants ayant l'indice 2.
Remarque importante:
Il n'est absolument pas nécessaire que les deux étages soient identiques
A suivre car je dois aller faire mon entretien musculaire et psychique.
Oldjp alias oldjpt.....
!!!
j'ai tout mais c'est encore dans le carton !!
